Pr. Ali SOLTANI

Ali Soltani was born in Saint-Etienne (France) in 1972. He received the B.S. degree in theoritical physics and M.S. in optoelectronic from Lorraine University (Nancy-Metz) in 1994 and 1996, respectively. He obtained his Ph.D. degrees in electrical engineering of the Metz University & Supelec, Metz, in 2001 on the fabrication and the development of cubic boron nitride thin films applied to the electronic (MOSFET) and the optoelectronic (optical waveguide). He rejoined the institut of electronic, of microelectronic and nanotechnologie (IEMN) at Lille (France) in the team microwave components and power devices” in 2002 as a assistant professor of the Lille1 University with expertise on the microwave device technology and solid state physics. Since then, he has been working on the development of GaN-based HEMT on silicon substrate and improved millimeter-wave power performance. His current research interests are the design and fabrication of wide bandgap, high- power, and high frequency devices.He developed in 2006 others related activities including the resonant tunneling diodes with double barrier Al(Ga)N/GaN, photodetectors X-UV on wide bandgap nitride and on diamond. Since 2010, he specialized in elastic wave sensors on wide band gap materials (AlN, nanodiamond). He has author or co-author over 88 papers and communications in international journals with peer review, invited a dozen international conferences and is co-author of three patents (one for GaN-HEMT and two for sensors).

Résumé de la présentation
L'industrie de la RF, des micro-ondes et des ondes millimétriques est à l'aube d'une transition technologique majeure qui aura un impact sur notre industrie et sur nos habitudes de consommation. Les avantages du nitrure de gallium comme semi-conducteur à large bande interdite dans les applications RF et micro-ondes sont de mieux en mieux compris, et les applications commerciales grand public sont de plus en plus évidentes. Aujourd'hui, le GaN est prêt à faire la transition d'une technologie ésotérique, financé par les gouvernements à une évolution pour des applications grand public. Deux choses sont nécessaires pour faciliter une telle transition. Tout d'abord, les mérites techniques de la technologie GaN doivent être pleinement réalisables et secondo, des économies d'échelle doivent être opérées. Il est important de comprendre qu'il ya deux manières d’apprécier la technologie GaN – il ya le nitrure de gallium sur carbure de silicium (GaN sur SiC) et le nitrure de gallium sur substrat silicium (GaN sur Si). Les deux occupent une place pour les applications actuelles en RF et micro-ondes et en électronique de puissance. Après avoir connu l’évolution du GaAs, que pouvons nous prévoir pour ces technologies GaN ?