Dr. Thierry Baron

Il a obtenu son doctorat de physique à l’Université Joseph Fourier en 1996. Son travail de thèse portait sur l’élaboration de semi-conducteurs II-VI en épitaxie par jets moléculaires pour des applications optoélectroniques. Il a ensuite effectué un post-doc de deux ans à l’Université de Wurzburg (Allemagne) sur la fabrication et la caractérisation de diodes laser à semi-conducteurs émettant dans le vert. Il a intégré le CNRS en 1998 pour travailler sur la plateforme technologique du CEA-Leti à Grenoble. Il a développé la thématique liée à l’élaboration de nanocristaux de silicium sur isolant, l’étude de leurs propriétés physiques et leur intégration dans des dispositifs mémoires. Ses travaux ont ensuite portés sur le l’auto-assemblage de nanostructures, la croissance par CVD, l’intégration de nanofils Si/Ge et l’étude de leurs propriétés physiques. Depuis 2012, il mène un programme de recherche sur l’élaboration par MOCVD et l’intégration de semiconducteurs III-V sur une plateforme Si compatible CMOS. Il est auteur et co-auteur de plus de 170 publications référencées et de 19 brevets. Son h-facteur est de 29.